公开(公告)号：CN100436368C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200710008980.X

申请日：2007-05-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  张冲

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/64 ,  H01B3/12

Abstract: 低温烧结Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法，涉及一种微波介质陶瓷。提供一种低温烧结Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法。其结构表达式为Ba5(Nb1-xSbx)4O15+awt%H3BO3，其中0≤x≤0.3，0＜a≤4。将配制的原料混合球磨后的浆料烘干，预烧后的粉料加入a＝1～4wt%H3BO3，再球磨，烘干后采用PVA对其造粒，干压成型，常压烧结，保温，冷却。可得在约900℃烧结，εr＝24～39，Qf＝7000～35630GHz，τf＝4.5～62的微波介质陶瓷材料。可采用高电导率、低成本金属Ag作为多层微波器件的内电极。

公开(公告)号：CN101050101A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710008980.X

申请日：2007-05-18

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  张冲

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/632 ,  C04B35/64 ,  H01B3/12

Abstract: 低温烧结Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法，涉及一种微波介质陶瓷。提供一种低温烧结Ba5(Nb，Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法。其结构表达式为Ba5(Nb1－xSbx)4O15+awt％H3BO3，其中0≤x≤0.3，0＜a≤4。将配制的原料混合球磨后的浆料烘干，预烧后的粉料加入a＝1～4wt％H3BO3，再球磨，烘干后采用PVA对其造粒，干压成型，常压烧结，保温，冷却。可得在约900℃烧结，εr＝24～39，Qf＝7000～35630GHz，τf＝4.5～62的微波介质陶瓷材料。可采用高电导率、低成本金属Ag作为多层微波器件的内电极。