公开(公告)号：CN101798213B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010126644.7

申请日：2010-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  曹泽亮 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  洪礼清

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。其组分及摩尔百分比含量为CaCu(1-x)MgxTi4O12+y SrCO3其中，x＝0.1667，0.1133，0.1067，0.1，0.0933，0.0867，0.05，y＝0.3，0.2，0.1，0.05，0。以CaCO3、CuO、TiO2、MgO、SrCO3为原料，按化学配比混合，得混合料，研磨成粉末，烘干，预烧，球磨，烘干；在球磨烘干后的混合料粉末中加入粘结剂干压成形，再烧结，得烧结后的陶瓷体；将烧结后的陶瓷体打磨，在陶瓷体上下表面被覆Ag电极，再热处理，使Ag电极与陶瓷介质紧密结合，得双掺杂高介电常数的陶瓷材料。

公开(公告)号：CN101769885A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910113087.2

申请日：2009-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  曹泽亮 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  洪礼清

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极及其测试方法，涉及一种测试电极。提供一种用于陶瓷材料的晶粒晶界性能测试电极及其测试方法。测试电极设有校准环、基电极和标向图，基电极设在校准环上，基电极由圆电极在水平、竖直及对角线3个方向引出细线组成，圆电极呈阵列排布；标向图设在基电极四周。制备富CuO的陶瓷材料粉体，干压成陶瓷圆片，保温，表面处理得晶界清晰的陶瓷表面，在表面制备电极；进行I-V特性的测量。无需通过繁琐的工艺制备单晶；便于测量、后期数据的比较分析和后期重复实验；无需使用昂贵的微细探针，且只要借助光学显微镜即可完成测量而无须借助AFM；细线间的距离可根据样品间距的大小来调节，便于各种配方的测量。

公开(公告)号：CN101769885B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200910113087.2

申请日：2009-12-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  曹泽亮 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  洪礼清

IPC: G01N27/00

Abstract: 一种用于陶瓷材料晶粒晶界性能测试电极及其测试方法，涉及一种测试电极。提供一种用于陶瓷材料的晶粒晶界性能测试电极及其测试方法。测试电极设有校准环、基电极和标向图，基电极设在校准环上，基电极由圆电极在水平、竖直及对角线3个方向引出细线组成，圆电极呈阵列排布；标向图设在基电极四周。制备富CuO的陶瓷材料粉体，干压成陶瓷圆片，保温，表面处理得晶界清晰的陶瓷表面，在表面制备电极；进行I-V特性的测量。无需通过繁琐的工艺制备单晶；便于测量、后期数据的比较分析和后期重复实验；无需使用昂贵的微细探针，且只要借助光学显微镜即可完成测量而无须借助AFM；细线间的距离可根据样品间距的大小来调节，便于各种配方的测量。

公开(公告)号：CN102584212A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210022093.9

申请日：2012-01-31

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  曹泽亮 ,  陈拉 ,  林一森 ,  叶何兰 ,  张国锋 ,  肖小朋

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622

Abstract: 一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。低介电损耗陶瓷材料由CaCu3Ti4O12和V2O5组成，化学式为CaCu3Ti4O12+xV2O5，其中x＝0.001～0.005。或由CaCu3Ti4O12和Bi2O3-CuO组成，化学式为CaCu3Ti4O12+x[yBi2O3-(1-y)CuO]，其中x＝0.005～0.05，y＝0.4～0.5。在空气气氛下，以CaCO3、CuO、TiO2以及V2O5或Bi2O3为原料，采用固相法，其中V2O5或Bi2O3为添加剂，将压制成形的陶瓷材料样品升温进行排胶处理，排胶处理后的样品继续升温，然后随炉冷却至室温，获得低介电损耗陶瓷材料。

公开(公告)号：CN101805176A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010126659.3

申请日：2010-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  曹泽亮 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  洪礼清

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/64

Abstract: 一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法，涉及一种电子陶瓷材料。提供一种降低高介电陶瓷材料烧结温度的方法。制备纳米级的CaCu3Ti4O12粉体；将纳米级的CaCu3Ti4O12粉体干压成坯体；对坯体进行烧结处理，得高介电陶瓷材料。具有以下优点：原料被分散到溶剂中形成低粘度的溶液，在很短的时间内获得分子水平的均匀性，溶胶一凝胶体系中组分的扩散在纳米范围内，与固相反应相比，化学反应不仅容易进行，而且仅需要较低的合成温度。由所制备的粉体粒径小、粒度分布窄，化学活性好，仅在烧结时才出现团聚，能有效地降低烧结温度。同时有效地结合两步烧结法，使陶瓷的致密度得到提高，从而提高了陶瓷体的介电性能。

公开(公告)号：CN101798213A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN201010126644.7

申请日：2010-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 ,  曹泽亮 ,  喻荣 ,  薛昊 ,  洪礼清

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

Abstract: 一种双掺杂型高介电常数的陶瓷材料及其制备方法，涉及一种陶瓷材料。其组分及摩尔百分比含量为CaCu(1-x)MgxTi4O12+y SrCO3其中，x＝0.1667，0.1133，0.1067，0.1，0.0933，0.0867，0.05，y＝0.3，0.2，0.1，0.05，0。以CaCO3、CuO、TiO2、MgO、SrCO3为原料，按化学配比混合，得混合料，研磨成粉末，烘干，预烧，球磨，烘干；在球磨烘干后的混合料粉末中加入粘结剂干压成形，再烧结，得烧结后的陶瓷体；将烧结后的陶瓷体打磨，在陶瓷体上下表面被覆Ag电极，再热处理，使Ag电极与陶瓷介质紧密结合，得双掺杂高介电常数的陶瓷材料。