公开(公告)号：CN113690420B

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202110987057.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑淞生 ,  王旖婷 ,  凡正清 ,  王兆林 ,  陈思 ,  张叶涵

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C01B32/05

Abstract: 本发明提供了一种氮硫掺杂硅碳复合材料及其制备方法和锂离子电池负极上的应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的氮硫掺杂硅碳复合材料，包括亚微米级硅和包覆在所述亚微米级硅表面的氮硫掺杂碳聚合物层；所述氮硫掺杂碳聚合物层中分散有铜纳米颗粒。本发明提供的氮硫掺杂硅碳复合材料中氮的存在，能够置换碳材料晶格中的碳原子并在结构中引入空洞或缺陷，硫的存在能够提高毗邻碳原子的正电荷密度，且由于存在法拉第反应，使得氮硫掺杂硅碳复合材料中产生更多锂存储位点，提高氮硫掺杂硅碳复合材料的比容量、导电能力和循环稳定性，大大提高了复合材料与集流体间的导电性，有效提升锂离子电池的电化学性能。

公开(公告)号：CN110518224A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910847305.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑淞生 ,  凡正清 ,  王兆林 ,  何嵩 ,  陈锦 ,  史傲迪 ,  梁峻华 ,  王旖婷

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种碳包硅及其制备方法和应用。本发明提供的碳包硅的制备方法，包括以下步骤：将碳源、硅、催化剂和水混合，依次进行水热反应和碳化处理，得到碳包硅。本发明提供的所述方案使用的原料来源广泛，价格低廉，采用水热反应，制备流程简便，能耗低，无污染，易实现工业化生产；同时利用水热反应和碳化处理得到的碳包硅结构表面包覆规整，粒度均匀；且可实现碳层的厚度可控，保证硅表面有包覆良好的碳层结构，能够有效的解决硅作为电极材料时，在充放电过程中的体积膨胀的问题，进而提高其电化学性能。

公开(公告)号：CN113707862A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110986810.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑淞生 ,  陈思 ,  王兆林 ,  张叶涵 ,  凡正清

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C01B32/05 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明提供了一种铜纳米线缠绕硅碳复合材料及其制备方法和应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的铜纳米线缠绕硅碳复合材料，包括碳包硅颗粒和缠绕在所述碳包硅颗粒表面的铜纳米线；所述碳包硅颗粒包括硅和包覆在所述硅表面的碳层；所述碳层中分散有铜纳米颗粒。本发明提供的铜纳米线缠绕硅碳复合材料的颗粒粒径均匀，铜纳米颗粒在碳层中分散均匀性好，纯度高，碳层对于硅的包覆完整均匀，铜纳米线在碳包硅颗粒表面分布均匀，复合材料中硅内部的导电子性能优异，解决了硅的体积膨胀问题，大大提高了复合材料与集流体间的导电子性，有效提升电化学性能。

公开(公告)号：CN113690420A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202110987057.5

申请日：2021-08-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑淞生 ,  王旖婷 ,  凡正清 ,  王兆林 ,  陈思 ,  张叶涵

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  C01B32/05

Abstract: 本发明提供了一种氮硫掺杂硅碳复合材料及其制备方法和锂离子电池负极上的应用，属于电极材料技术领域。本发明提供的氮硫掺杂硅碳复合材料，包括亚微米级硅和包覆在所述亚微米级硅表面的氮硫掺杂碳聚合物层；所述氮硫掺杂碳聚合物层中分散有铜纳米颗粒。本发明提供的氮硫掺杂硅碳复合材料中氮的存在，能够置换碳材料晶格中的碳原子并在结构中引入空洞或缺陷，硫的存在能够提高毗邻碳原子的正电荷密度，且由于存在法拉第反应，使得氮硫掺杂硅碳复合材料中产生更多锂存储位点，提高氮硫掺杂硅碳复合材料的比容量、导电能力和循环稳定性，大大提高了复合材料与集流体间的导电性，有效提升锂离子电池的电化学性能。