-
公开(公告)号：CN116721793A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310423014.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种用于蒸发冷却的电场辅助调节磁阱深度的方法，包括以下步骤：步骤一：分子态的制备，将分子制备在IBr分子超精细能级X1Σ态(J＝0，G＝2.5，F＝4)|4,–4>态上；步骤二：磁阱的制备，利用一组反亥姆霍次线圈，通上大小相等，方向相反的电流，则在两个线圈中轴线的中点位置处，磁场等于零，而在中点位置两侧，沿着中轴线方向产生近似线性变化的磁场，此时，沿着中轴线方向上磁场分布类似一个磁阱；步骤三：阱深的调节，在两线圈侧面放置两个电极，通上直流电，通过调节电场强度改变阱深。本发明方法在分子蒸发冷却的过程中，利用电磁结合方式，通过调节电场强度，快速改变磁阱的深度，以达到蒸发冷却的目的，同时获得浓度较高的冷分子。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
