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公开(公告)号：CN119514320A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411450984.3
申请日：2024-10-17
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供了一种多因素下磁性元件性能优化模型设计方法，属于电力电子的电能变换技术领域。解决了在不同温度条件下磁芯损耗的精确计算低的技术问题。其技术方案为：包括以下步骤：S1、数据测量形成原始数据集并进行数据处理建立新数据集；S2、改进iGSE磁芯损耗函数；S3、非线性最小二乘法拟合磁芯损耗函数未知参数；S4、构建加权单目标优化模型；S5、火烈鸟优化算法求解目标函数最优解。本发明的有益效果为：改进iGSE磁芯损耗函数能够适用各种温度变化，所构建的加权单目标模型能够更全面的优化磁性元件性能，火烈鸟优化算法能够更块收敛目标函数最优解。
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