公开(公告)号：CN109545656B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201811187633.2

申请日：2018-10-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周耐根 ,  罗耀榕 ,  周浪 ,  黄海宾

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1将单晶硅片清洗并制绒；S2在硅片表面预沉积氢等离子；S3在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4对氢化非晶硅薄膜进行退火处理，得到高钝化的氢化非晶硅薄膜。其结合对硅片进行H等离子沉积前期处理和对a‑Si:H薄膜进行退火处理，有效降低了界面区域缺陷密度，优化a‑Si/c‑Si界面质量，进而提高HIT电池的效率。

公开(公告)号：CN109545656A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811187633.2

申请日：2018-10-12

Applicant: 南昌大学

Inventor： 周耐根 ,  罗耀榕 ,  周浪 ,  黄海宾

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种氢化非晶硅薄膜制备方法，包括：S1、将单晶硅片清洗并制绒；S2、在硅片表面预沉积氢等离子；S3、在硅片表面进一步沉积SiHx等离子体基团得到氢化非晶硅薄膜，其中，x=1或2或3；S4、对氢化非晶硅薄膜进行退火处理，得到高钝化的氢化非晶硅薄膜。其结合对硅片进行H等离子沉积前期处理和对a-Si:H薄膜进行退火处理，有效降低了界面区域缺陷密度，优化a-Si/c-Si界面质量，进而提高HIT电池的效率。