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公开(公告)号：CN111826718A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010678954.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本发明属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证；本发明同样适合UV LED等器件的生产。
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公开(公告)号：CN111826718B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202010678954.3
申请日：2020-07-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明涉及一种圆桶形对称多片碳化硅外延生长反应管，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本发明属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证；本发明同样适合UV LED等器件的生产。
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公开(公告)号：CN212375420U
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202021386815.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型涉及一种新型园桶形对称多片碳化硅外延生长反应管结构，涉及制造碳化硅外延晶片生长设备技术领域，桶式结构能极大地提高碳化硅外延片的产量，且衬底的温度均匀性能自然得到保证；随着衬底尺寸的增大，桶的直径也可增大，加热线圈可做成多片扇形，石墨桶也可由若干扇面拼接而成；每炉更换反应管主体，故外延生长的初始状态恒定，克服当前普遍存在的重复性问题；使用机械手操作，不浪费机时；采用管子套管子结构降低使用成本；设有激光在线膜厚监控及双波长在线测温装置；注重采用气流及水流对称性设计以确保生长参数自然均匀；本实用新型属近耦合体系，膜厚的均匀性易得到保证。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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