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公开(公告)号：CN2844139Y
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200520045276.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/513
Abstract: 本实用新型公开了一种直流辉光等离子体气相沉积装置，它包括真空反应罩、上进气管、下进气管、绝缘座，特征是在真空反应罩内的石英反应腔上方依次安装有冷却室、下气腔和上气腔，上、下出气管的上端分别伸在上、下气腔内，上出气管的下端穿过等离子体区，下出气管的出口在等离子体区的上方，两个气管呈均匀间隔排列，均垂直于石墨台；在石英反应腔两侧的阳极和阴极呈竖直方向并排对立；石墨台由与转动杆相连接的石英托板支撑，通过电动机带动石墨台转动，欲沉积薄膜的基片放在石墨台上表面的钽片上，在石墨台底部下方装有测温热电偶和高频加热器。本实用新型能在单晶硅或蓝宝石上生长出高度择优取向氧化锌薄膜，质量稳定，生长速率高。
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