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公开(公告)号:CN106449780A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610857001.7
申请日:2016-09-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02167 , H01L31/0264 , H01L31/072 , H01L31/1876
Abstract: 本发明提供了一种氧化物载流子传输层的硅异质结太阳电池及其制备方法,该方法在沉积有双面钝化层I的衬底S的一面沉积金属氧化物电子选择层ESL,而后于ESL的相对面上在较低的反应前驱物能量的情况下沉积高功函数的金属氧化物空穴选择层HSL,与低功函数的硅衬底形成了界面反型层,产生空穴选择的效果,而后在HSL层上沉积透明电极T,最后于电池正、反两面分别沉积金属电极M1和M2。该结构所采用的高功函数的HSL层兼具高透过、低吸收较的特性,可有效提升电池的光谱相应,且其制备方法简单,易于实施。