公开(公告)号：CN116314439A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211724662.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  杨旭东 ,  赵俊峰 ,  张仲卿 ,  马静怡

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的NiOx空穴传输层的制备方法，包括：将晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空反应腔室中，并将晶硅衬底加热至反应温度；向真空反应腔室中通入反应气体，反应气体中氧流量呈线性速率变化，以在晶硅衬底的一侧生长带隙渐变的NiOx空穴传输层；其中，NiOx空穴传输层的带隙自太阳电池中的透明导电层向晶硅衬底的方向逐渐升高，透明导电层位于NiOx空穴传输层远离晶硅衬底的一侧，以使NiOx空穴传输层靠近透明导电层一侧的能带与透明导电层的能带匹配，且NiOx空穴传输层靠近晶硅衬底一侧的能带与晶硅衬底的能带匹配。本发明制备得到的NiOx空穴传输层应用在太阳电池中，有利于提升太阳电池的短路电流密度和填充因子。

公开(公告)号：CN118763128A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411156780.9

申请日：2024-08-22

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  谢晟芃 ,  赵俊峰 ,  杨丹宁

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

Abstract: 本公开提出了一种太阳能晶硅电池，包括晶硅衬底、钝化层、空穴传输层和电子传输层。其中，晶硅衬底适用于接收光照，产生光生电子‑空穴对；钝化层形成于晶硅衬底的两侧，钝化层的材料为氧化铝，被构造成沿远离晶硅衬底的方向，氧化铝致密度梯度降低，以确保对晶硅衬底的表面缺陷进行钝化的同时，还提升载流子的传输能力；空穴传输层形成于晶硅衬底接收光照一侧的钝化层之上，适用于收集和传输光生空穴，促进电荷分离；电子传输层形成于另一侧钝化层的外侧，适用于收集并传输光生电子。本公开还提出了前述太阳能晶硅电池的制备方法。

公开(公告)号：CN115954392A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211731617.1

申请日：2022-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  张仲卿 ,  赵俊峰 ,  杨旭东 ,  马静怡

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的电子传输层的制备方法，包括：在晶硅衬底两侧分别形成第一钝化层和第二钝化层；将晶硅衬底上形成有第一钝化层的一面密封；将密封后的晶硅衬底置于化学浴的反应溶液中，在晶硅衬底的未密封的一面沉积与晶硅衬底能带匹配的电子传输层；以及对沉积得到的电子传输层退火处理。本发明还提供一种利用上述的制备方法得到的电子传输层，通过形成与晶硅衬底的能带匹配的电子传输层，阻挡空穴向背电极的传输，降低空穴与电子在背电极的复合，提升太阳电池的光电转换效率。