公开(公告)号：CN118073472A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410203915.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 张毅 ,  刘越 ,  张华美 ,  刘慧桢 ,  董家斌 ,  曹子修

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/36

Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射后封管硒化制备铜基薄膜太阳电池吸收层的方法；在背电极上通过磁控溅射制备金属前驱膜；将金属前驱膜合金化之后与适量硒置于一根封管之中，将其置于管式炉中，通过向管式炉内快速通入惰性气体从而利用封管内外气压差压紧管盖和管身。随后在管式炉内进行高温退火，硒蒸发后形成的硒蒸气和前驱膜发生氧化还原反应生成铜锌锡硫硒薄膜，同时由于该反应发生在密闭的封管中，因而可以实现饱和蒸汽压的精确控制与计算。本发明采用了石英玻璃封管硒化的方式，通过控制参与反应的硒原料的多少，使反应过程中封管内部的气态硒分压足够达到最大饱和蒸气压，又不会导致硒使用过量，从而获得了高质量的吸收层薄膜。