公开(公告)号：CN116314439A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211724662.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  杨旭东 ,  赵俊峰 ,  张仲卿 ,  马静怡

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0216

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的NiOx空穴传输层的制备方法，包括：将晶硅衬底置于磁控溅射设备的真空反应腔室中，并将晶硅衬底加热至反应温度；向真空反应腔室中通入反应气体，反应气体中氧流量呈线性速率变化，以在晶硅衬底的一侧生长带隙渐变的NiOx空穴传输层；其中，NiOx空穴传输层的带隙自太阳电池中的透明导电层向晶硅衬底的方向逐渐升高，透明导电层位于NiOx空穴传输层远离晶硅衬底的一侧，以使NiOx空穴传输层靠近透明导电层一侧的能带与透明导电层的能带匹配，且NiOx空穴传输层靠近晶硅衬底一侧的能带与晶硅衬底的能带匹配。本发明制备得到的NiOx空穴传输层应用在太阳电池中，有利于提升太阳电池的短路电流密度和填充因子。

公开(公告)号：CN115954392A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211731617.1

申请日：2022-12-30

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘玮 ,  张仲卿 ,  赵俊峰 ,  杨旭东 ,  马静怡

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中的电子传输层的制备方法，包括：在晶硅衬底两侧分别形成第一钝化层和第二钝化层；将晶硅衬底上形成有第一钝化层的一面密封；将密封后的晶硅衬底置于化学浴的反应溶液中，在晶硅衬底的未密封的一面沉积与晶硅衬底能带匹配的电子传输层；以及对沉积得到的电子传输层退火处理。本发明还提供一种利用上述的制备方法得到的电子传输层，通过形成与晶硅衬底的能带匹配的电子传输层，阻挡空穴向背电极的传输，降低空穴与电子在背电极的复合，提升太阳电池的光电转换效率。