公开(公告)号：CN103956430B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410176215.9

申请日：2014-04-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  余璇 ,  于晓明

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 一种倒结构聚合物太阳电池，由玻璃衬底、掺锡氧化铟透明导电膜、电子传输层、界面修饰层、有机活性层和MoO3/Ag复合电极依次组成叠层结构，其中电子传输层为掺铝氧化锌薄膜，界面修饰层为聚乙烯吡咯烷酮薄膜，有机活性层为聚3?已基噻吩?富勒烯衍生物薄膜。本发明的优点是：采用聚乙烯吡咯烷酮作为倒结构聚合物太阳电池的界面修饰层，使有机活性层材料与无机电子传输层材料之间形成紧密的接触，可有效降低器件的串联电阻并提升并联电阻，使载流子被有效的收集，减少载流子复合，显著提高电池填充因子以及电池的能量转换效率；在不增加成本的前提下，有利于实现商业化大面积生产，从而加快该类型太阳电池的产业化进程，满足社会需求。

公开(公告)号：CN103956430A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410176215.9

申请日：2014-04-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 张建军 ,  余璇 ,  于晓明

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/424 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/004

Abstract: 一种倒结构聚合物太阳电池，由玻璃衬底、掺锡氧化铟透明导电膜、电子传输层、界面修饰层、有机活性层和MoO3/Ag复合电极依次组成叠层结构，其中电子传输层为掺铝氧化锌薄膜，界面修饰层为聚乙烯吡咯烷酮薄膜，有机活性层为聚3-已基噻吩-富勒烯衍生物薄膜。本发明的优点是：采用聚乙烯吡咯烷酮作为倒结构聚合物太阳电池的界面修饰层，使有机活性层材料与无机电子传输层材料之间形成紧密的接触，可有效降低器件的串联电阻并提升并联电阻，使载流子被有效的收集，减少载流子复合，显著提高电池填充因子以及电池的能量转换效率；在不增加成本的前提下，有利于实现商业化大面积生产，从而加快该类型太阳电池的产业化进程，满足社会需求。