公开(公告)号：CN117187863A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310936699.1

申请日：2023-07-28

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 范孟孟 ,  吴雨寒 ,  袁启昕 ,  蒋剑春 ,  孙康 ,  王傲 ,  赵钰莹

IPC: C25B11/091 ,  C25B1/30 ,  C25B1/50

Abstract: 本发明公开了一种富C‑SH(边缘巯基)的纳米缺陷多孔硫掺杂碳材料(S‑C)及其制备方法与应用，材料中S元素含量可达到0.8at.％‑2.0at.％，C‑SH结构的含量为0.1at.％‑0.9at.％，材料中分布有众多的微孔、介孔和大孔，比表面积为200m2g‑1‑900m2g‑1。使用木质素作为碳源，木质素磺酸钠作为硫源，前处理后制备成前驱体，在惰性气体下进行高温退火，制备出富C‑SH的纳米缺陷多孔硫掺杂碳材料。由于C‑SH(边缘巯基)对于二电子氧还原反应具有较高的活性，该材料能够高效地将氧气电还原为过氧化氢。

公开(公告)号：CN115537850A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211252024.7

申请日：2022-10-13

Applicant: 南京林业大学

Inventor： 范孟孟 ,  吴雨寒 ,  袁启昕 ,  徐祥 ,  赵钰莹 ,  蒋剑春

IPC: C25B1/30 ,  C25B1/50 ,  C01B32/15 ,  C25B11/04 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明公开了一种高B‑S(成键)含量的纳米缺陷多孔碳材料(BS‑C)及其制备方法与应用，材料中B元素含量可达到1.5at％‑6at％，S元素含量可达到0.5at％‑2at％，材料中分布有微孔、介孔和大孔，比表面积为700m2g‑1‑1300m2g‑1。使用木质素磺酸钠作为碳源，硼酸作为硼源，前处理后制备成前驱体，高温退火，制备出高B‑S含量的纳米缺陷多孔碳材料。高温退火过程可以使B与C、S之间形成特殊的化学键；硼酸在退火时不仅能作为硼源向碳材料提供成键的B原子，同时也促进材料的多孔结构和纳米缺陷结构的产生；该材料能够高效电催化两电子氧还原反应。