高B-S(成键)含量的纳米缺陷多孔碳材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115537850A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211252024.7

    申请日:2022-10-13

    Abstract: 本发明公开了一种高B‑S(成键)含量的纳米缺陷多孔碳材料(BS‑C)及其制备方法与应用,材料中B元素含量可达到1.5at%‑6at%,S元素含量可达到0.5at%‑2at%,材料中分布有微孔、介孔和大孔,比表面积为700m2g‑1‑1300m2g‑1。使用木质素磺酸钠作为碳源,硼酸作为硼源,前处理后制备成前驱体,高温退火,制备出高B‑S含量的纳米缺陷多孔碳材料。高温退火过程可以使B与C、S之间形成特殊的化学键;硼酸在退火时不仅能作为硼源向碳材料提供成键的B原子,同时也促进材料的多孔结构和纳米缺陷结构的产生;该材料能够高效电催化两电子氧还原反应。

    一种富含硼晶体多孔碳材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118109852A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410148687.7

    申请日:2024-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种富含硼晶体的多孔碳材料制备方法及其应用,材料中B元素含量可达到0.5at%‑2.0at%,O元素含量可达到20at%‑28at%,材料中分布有十分丰富的孔结构。该材料使用柠檬酸作为碳源,硼酸作为硼源,前处理后制备成前驱体,高温退火,制备出富含硼晶体的多孔碳材料。具有层状结构的柠檬酸硼通过静电相互作用被片层的硼酸束缚,这种作用力的束缚可以在高温退火过程中诱导纳米硼晶体的形成。硼酸在退火时作为硼源向碳材料提供成键B原子,同时也促进碳材料丰富孔结构的形成。该材料能够高效电催化两电子氧还原反应。

Patent Agency Ranking