公开(公告)号：CN109461775B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201811071297.5

申请日：2018-09-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐永兵 ,  黄兆聪 ,  杨龙 ,  刘文卿 ,  翟亚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24

Abstract: 基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，所述半金属材料为Fe3O4合金，采用的基片为As/n‑GaAs/GaAs(100)，在基片上承载了两个大小不同的半金属材料Fe3O4薄膜层作为电极基，其中小的半金属材料的大小为:17±5×156±20μm,大的半金属材料的大小为97±10×156±20μm，两个大小不同的半金属材料的间距为2.6±1μm；在半金属材料薄膜层上制备两对电极，通过改变Fe3O4薄膜层第一对电极间的外加电压，实现n‑GaAs沟道内部的自旋反转，从而改变第二对电极C,D间的电流大小。

公开(公告)号：CN109461775A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811071297.5

申请日：2018-09-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐永兵 ,  黄兆聪 ,  杨龙 ,  刘文卿 ,  翟亚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/08 ,  H01L29/24

Abstract: 基于利用外延生长半金属的自旋场效应晶体管，所述半金属材料为Fe3O4合金，采用的基片为As/n-GaAs/GaAs(100)，在基片上承载了两个大小不同的半金属材料Fe3O4薄膜层作为电极基，其中小的半金属材料的大小为:17±5×156±20μm,大的半金属材料的大小为97±10×156±20μm，两个大小不同的半金属材料的间距为2.6±1μm；在半金属材料薄膜层上制备两对电极，通过改变Fe3O4薄膜层第一对电极间的外加电压，实现n-GaAs沟道内部的自旋反转，从而改变第二对电极C,D间的电流大小。