公开(公告)号：CN117110824B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311370126.3

申请日：2023-10-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  王文峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。

公开(公告)号：CN117110824A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311370126.3

申请日：2023-10-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  王文峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。