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实用新型
在硅基万能衬底上生长多层异质外延薄膜失效

公开(公告)号：CN2527572Y

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN01263468.9

申请日：2001-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 康琳 , 吴培亨 , 冯一军 , 狄增峰 , 杨森祖

IPC: C23C16/40 , C30B25/02

Abstract: 本实用新型公开了一种在硅基万能衬底(SOI)上生长多层异质外延薄膜，其特点在于在作为基层的硅基万能衬底(SOI)上生成或多层氧化物薄膜作中间过渡层，在过渡层的表面生成钇钡铜氧(YBa2Cu3O7)外延薄膜作为超导层。作为中间过渡层的氧化物为二氧化铈、二氧化锆或铝酸镧中的一种、二种或三种。本实用新型的优点是可以在SOI衬底上，获得各种不同厚度，特别是大于50nm以上厚度的高质量超导YBa2Cu3O7外延薄膜，以满足超导电子器件的制备要求。

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