公开(公告)号：CN103275703A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201310162355.6

申请日：2013-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张晓伟 ,  张培 ,  李伟 ,  林少兵 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: C09K11/59

Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。

公开(公告)号：CN103275703B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310162355.6

申请日：2013-05-06

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  张晓伟 ,  张培 ,  李伟 ,  林少兵 ,  徐岭 ,  余林蔚 ,  陈坤基

IPC: C09K11/59

Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。