公开(公告)号：CN1234176C

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN03131541.0

申请日：2003-05-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 许伟伟 ,  吴培亨 ,  杨森祖 ,  吉争鸣 ,  范世雄

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22

Abstract: 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson(约瑟夫森)结的方法，利用耐融微掩模法制备，选用常规或双晶或台阶基片，用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜，YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用，在上述双层膜上制备光刻胶掩模，曝光显影后得到微桥图形；用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模；用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜，使得底层的YBCO彻底去除干净；放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜，直接形成Josephson结。利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响，制备高质量的高温超导Josephson结。

公开(公告)号：CN1461063A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03131541.0

申请日：2003-05-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 许伟伟 ,  吴培亨 ,  杨森祖 ,  吉争鸣 ,  范世雄

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22

Abstract: 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法，利用耐融微掩模法制备，选用常规或双晶或台阶基片，用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜，YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用，在上述双层膜上制备光刻胶掩模，曝光显影后得到微桥图形；用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模；用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜，使得底层的YBCO彻底去除干净；放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜，直接形成Josephson结。利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响，制备高质量的高温超导Josephson结。

公开(公告)号：CN2527572Y

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN01263468.9

申请日：2001-10-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 康琳 ,  吴培亨 ,  冯一军 ,  狄增峰 ,  杨森祖

IPC: C23C16/40 ,  C30B25/02

Abstract: 本实用新型公开了一种在硅基万能衬底(SOI)上生长多层异质外延薄膜，其特点在于在作为基层的硅基万能衬底(SOI)上生成或多层氧化物薄膜作中间过渡层，在过渡层的表面生成钇钡铜氧(YBa2Cu3O7)外延薄膜作为超导层。作为中间过渡层的氧化物为二氧化铈、二氧化锆或铝酸镧中的一种、二种或三种。本实用新型的优点是可以在SOI衬底上，获得各种不同厚度，特别是大于50nm以上厚度的高质量超导YBa2Cu3O7外延薄膜，以满足超导电子器件的制备要求。