公开(公告)号：CN119822319A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411933426.2

申请日：2024-12-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  廖巍 ,  刘宗光 ,  王军转

IPC: B81C1/00 ,  G01K7/00 ,  C23C14/24 ,  C23C14/20 ,  C23C14/18 ,  C23C16/50 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明公开了一种高导电晶硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1、利用光刻和刻蚀在氧化硅片或柔性衬底表面制备引导沟槽，随后利用光刻和蒸镀在所述引导沟槽末端制备催化剂金属条带；步骤2、在PECVD设备中，利用氢等离子体处理，将催化剂金属还原成液滴，随后沉积非晶硅，并在真空中加热退火生长晶硅纳米线阵列；步骤3、利用氢等离子体刻蚀残余非晶硅，并通过450℃低温热退火处理脱氢，获得高导电晶硅纳米线阵列。本发明方法制备的高导电晶硅纳米线具有优异的电学特性、形貌和位置精确可控、易于集成的特点，且制备温度低、无需额外掺杂工艺。形成的温度传感单元具有尺寸小、灵敏度高、成本低和易大面积集成的优势。