一种平面气敏传感元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104833707A

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201510284530.8

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种平面气敏传感元件及其制备方法。该平面气敏传感元件采用负载CVD石墨烯的气敏传感器件;石墨烯表面沉积一维氧化锌薄膜;一维氧化锌呈笔头状;一维氧化锌的直径为100-200nm,长宽比大于3,笔尖宽度为10-100nm。本发明制备得到的气敏传感元件对丙酮气体具有响应快速,灵敏度高,操作温度低,同时对丙酮气体具有较高选择性。

    一种平面气敏传感元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN104833707B

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201510284530.8

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明公开了一种平面气敏传感元件及其制备方法。该平面气敏传感元件采用负载CVD石墨烯的气敏传感器件;石墨烯表面沉积一维氧化锌薄膜;一维氧化锌呈笔头状;一维氧化锌的直径为100‑200nm,长宽比大于3,笔尖宽度为10‑100nm。本发明制备得到的气敏传感元件对丙酮气体具有响应快速,灵敏度高,操作温度低,同时对丙酮气体具有较高选择性。

    一种有序Cu掺杂的纳米孔氧化锡传感器件

    公开(公告)号:CN105067670A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510392705.7

    申请日:2015-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种有序Cu掺杂的纳米孔氧化锡传感器件,该传感器件通过以下步骤制备:(1)采用旋涂法制备基于叉指电极的氧化石墨烯薄膜;(2)采用旋涂法制备镀有复合传感膜的器件,干燥后,经热蒸汽处理;(3)去除步骤(2)所得器件中的模板剂;(4)将步骤(3)所得器件在紫外照射条件下进行还原反应,即得本发明纳米孔氧化锡传感器件。本发明有序纳米孔Cu摻杂的纳米氧化锡传感器件的传感性能优异,对低浓度H2S气体响应时间和恢复时间均低于20s。

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