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公开(公告)号：CN115802791A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211365574.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法和应用。本发明的发光二极管分为正置结构和倒置结构两种结构，正置结构的发光二极管的组成包括依次设置的阳极层、空穴注入层、发光层、绝缘层、电子传输层、电子注入层和阴极层，倒置结构的发光二极管的组成包括依次设置的阴极层、电子注入层、发光层、绝缘层、空穴传输层、空穴注入层和阳极层，绝缘层由包括以下步骤的制备方法制成：将绝缘材料涂覆在发光层表面进行成膜，再通过喷墨印刷的方式印刷刻蚀溶剂进行刻蚀，形成图案化的绝缘层。本发明的发光二极管兼具高效率、高分辨率、低成本、图案灵活可调等优点，适合进行大面积推广应用。
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公开(公告)号：CN113421966A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110640359.5
申请日：2021-06-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种聚环氧乙烷掺杂的准二维钙钛矿薄膜及其制备方法与发光器件，该薄膜包括准二维钙钛矿和聚环氧乙烷；所述准二维钙钛矿的分子式为L2FAxPb3Br10，所述的L为正一价有机铵离子，所述的x＝2～3。本发明在制备发光层的过程中，在前驱体中掺入适量的聚环氧乙烷聚合物，显著地提升了钙钛矿薄膜的质量，具体表现为钙钛矿薄膜表面粗糙度的显著降低，钙钛矿晶粒的显著细化，准二维钙钛矿薄膜中的非辐射复合相的生成受到抑制，准二维钙钛矿薄膜的相纯度得到了大幅度的提升；所得发光器件的发光亮度、电流效率得到显著提高；同时方法简单，重复性好，操作简便，掺杂材料来源广且价格便宜。
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公开(公告)号：CN110534657A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910695967.9
申请日：2019-07-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种顶发射器件结构及其制备方法与全彩显示屏，所述顶发射器件包括从下至上依次排列的阳极、腔长调节层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极或阴极、腔长调节层、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极。所述腔长调节层为PEDOT:PSS、NiOx、IGZO或氧化石墨烯。所述腔长调节层通过旋涂法或印刷法制备。由于腔长调节层良好的导电率和透光率，因此当光从阴极发射经过腔长调节层时，光损失较少，同时几乎不影响器载流子注入，制备的顶发射器件的外量子效率接近底发射器件的，同时解决了蓝光顶发射器件颜色偏白的问题。这种低成本的材料加工方式，在得到较高电学性能的同时，还能提高发光色纯度，提升显示色域，获得较好显示效果。
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公开(公告)号：CN103236475B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310131166.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明针对具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，提出深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，包括如下步骤：沉积第一层钝化层；旋涂液态绝缘材料，填满发光单元之间的隔离沟槽，并在芯片表面形成平整薄膜；液态绝缘材料高温固化；刻蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面的钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与钝化层的表面齐平；沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在钝化层内部；刻蚀钝化层，制备电极槽；沉积金属，并采用剥离技术，制备电极，同时在钝化层上表面制备电极连接桥。本发明提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于高深宽比的隔离沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116769479B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310592081.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H10K50/115 , H10K50/15
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件。通过在前驱体溶液中掺杂碳酸铷和溴化亚锡的方法，碳酸铷中的铷离子能部分替代铯离子，而溴化亚锡中的二价锡离子可以部分替代铅离子，实现对量子点的掺杂，提高了量子点的晶体结构稳定性，同时降低了铅的毒性。最终实现纯蓝光发射的钙钛矿量子点，其化学成分为(CsxRb1‑x)PbySn1‑y(Br/Cl)3。同时，本发明提出CuSCN/TFB双空穴传输层结构，基于上述纯蓝光量子点设计了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuSCN/TFB/Pe‑QDs/TPBi/LiF/Al的发光器件，所制备的发光器件的发光效率和发光强度均得到了提升。
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公开(公告)号：CN116769479A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310592081.8
申请日：2023-05-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , H10K50/115 , H10K50/15
Abstract: 本发明公开了一种基于蓝光钙钛矿量子点发光材料的制备方法及其电致发光器件。通过在前驱体溶液中掺杂碳酸铷和溴化亚锡的方法，碳酸铷中的铷离子能部分替代铯离子，而溴化亚锡中的二价锡离子可以部分替代铅离子，实现对量子点的掺杂，提高了量子点的晶体结构稳定性，同时降低了铅的毒性。最终实现纯蓝光发射的钙钛矿量子点，其化学成分为(CsxRb1‑x)PbySn1‑y(Br/Cl)3。同时，本发明提出CuSCN/TFB双空穴传输层结构，基于上述纯蓝光量子点设计了结构为ITO/PEDOT:PSS/CuSCN/TFB/Pe‑QDs/TPBi/LiF/Al的发光器件，所制备的发光器件的发光效率和发光强度均得到了提升。
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公开(公告)号：CN103236475A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310131166.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明针对具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，提出深沟槽隔离的LED发光单元的电极桥接方法，包括如下步骤：沉积第一层钝化层；旋涂液态绝缘材料，填满发光单元之间的隔离沟槽，并在芯片表面形成平整薄膜；液态绝缘材料高温固化；刻蚀绝缘材料薄膜，使得发光单元表面的钝化层暴露，而隔离沟槽处绝缘材料的表面与钝化层的表面齐平；沉积第二层钝化层，将隔离沟槽处的绝缘材料封闭在钝化层内部；刻蚀钝化层，制备电极槽；沉积金属，并采用剥离技术，制备电极，同时在钝化层上表面制备电极连接桥。本发明提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于高深宽比的隔离沟槽。
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公开(公告)号：CN116209334A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310083606.5
申请日：2023-02-08
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种喷墨打印制备红、绿、蓝彩色钙钛矿像素阵列的方法及其应用。该方法包括以下步骤：将钙钛矿旋涂或喷墨打印或刮涂于基板上，首先得到绿光钙钛矿薄膜，然后将含有碘的胺盐或金属卤化物溶解于有机溶剂中，得到含碘元素的墨水；另外，将含有氯的胺盐或金属卤化物溶解于有机溶剂，得到含有氯元素的墨水。本发明还公开了一种基于上述方法制备的彩色钙钛矿像素阵列发光二极管，其结构包括依次设置的阳极、空穴传输层、彩色钙钛矿像素阵列、电子传输层、电子注入层和金属阴极电极。
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公开(公告)号：CN203218264U
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201320190660.1
申请日：2013-04-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型提供具有深沟槽隔离的多个发光单元的大尺寸LED芯片，其中，每个发光单元从下至上顺次包括衬底、缓冲层、n型半导体材料、多量子阱发光层、p型半导体材料、电流扩展层和钝化层，覆盖于发光单元除电极外的表面，发光单元之间的隔离沟槽填充有绝缘材料，发光单元之间的连接桥位于所述绝缘材料上方。本实用新型提高了电极桥接的良率，适用于横截面为矩形、正梯形或倒梯形的发光单元结构，特别适用于具有高深宽比隔离沟槽的大尺寸LED芯片。
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