公开(公告)号：CN116947328B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202310675773.9

申请日：2023-06-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 马英 ,  牛医博 ,  王宇 ,  叶建山

IPC: C03C17/34 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明公布了一种碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结材料的制备方法及其产品和应用。采用电沉积法，在导电基底上原位生长碘化亚铜(CuI)薄膜，然后在含有5,10,15,20‑四(4‑乙炔基苯基)卟啉单体的溶液中通过Cu(I)离子介导的Glaser偶联反应在碘化亚铜薄膜上原位生长卟啉石墨炔。通过改变工艺参数，可以得到不同形貌与厚度的碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结材料。本发明的方法制备的碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结，能够使得电子空穴对有效分离，从而有效提高光电化学性能，并对电极进行保护，提高电极稳定性。该异质结材料适用于构建阴极光电化学传感器并用于L‑半胱氨酸检测，可以满足实际应用的需求。

公开(公告)号：CN116947328A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310675773.9

申请日：2023-06-08

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 马英 ,  牛医博 ,  王宇 ,  叶建山

IPC: C03C17/34 ,  G01N27/26

Abstract: 本发明公布了一种碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结材料的制备方法及其产品和应用。采用电沉积法，在导电基底上原位生长碘化亚铜(CuI)薄膜，然后在含有5,10,15,20‑四(4‑乙炔基苯基)卟啉单体的溶液中通过Cu(I)离子介导的Glaser偶联反应在碘化亚铜薄膜上原位生长卟啉石墨炔。通过改变工艺参数，可以得到不同形貌与厚度的碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结材料。本发明的方法制备的碘化亚铜/卟啉石墨炔p‑n异质结，能够使得电子空穴对有效分离，从而有效提高光电化学性能，并对电极进行保护，提高电极稳定性。该异质结材料适用于构建阴极光电化学传感器并用于L‑半胱氨酸检测，可以满足实际应用的需求。