公开(公告)号：CN109461908B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201811174582.X

申请日：2018-10-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡仁宗 ,  兰雪侠 ,  张厚泼 ,  王辉 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种高性能Mo/SnO2/Mo三明治结构薄膜电极材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：a、采用磁控溅射法在黄铜基片上沉积Mo膜；b、在Mo膜表面溅射沉积SnO2活性层；c、以b步骤得到的Mo/SnO2薄膜作为基片，继续溅射沉积Mo膜。该方法制备工艺简单，具有可设计性、可控制性、灵活性较高等优点。本发明的Mo/SnO2/Mo薄膜电极材料应用于锂离子电池负极材料中，通过对此三明治结构的膜层厚度的控制可极大提高SnO2电极的转化反应可逆性与稳定性，同时可有效缓冲SnO2电极的体积膨胀，表现出高首次库伦效率、高可逆容量、高循环稳定性、高倍率性能的特点。

公开(公告)号：CN109461908A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811174582.X

申请日：2018-10-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡仁宗 ,  兰雪侠 ,  张厚泼 ,  王辉 ,  曾美琴 ,  朱敏

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种高性能Mo/SnO2/Mo三明治结构薄膜电极材料及其制备方法和应用，包括如下步骤：a、采用磁控溅射法在黄铜基片上沉积Mo膜；b、在Mo膜表面溅射沉积SnO2活性层；c、以b步骤得到的Mo/SnO2薄膜作为基片，继续溅射沉积Mo膜。该方法制备工艺简单，具有可设计性、可控制性、灵活性较高等优点。本发明的Mo/SnO2/Mo薄膜电极材料应用于锂离子电池负极材料中，通过对此三明治结构的膜层厚度的控制可极大提高SnO2电极的转化反应可逆性与稳定性，同时可有效缓冲SnO2电极的体积膨胀，表现出高首次库伦效率、高可逆容量、高循环稳定性、高倍率性能的特点。