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公开(公告)号：CN115050433A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210708030.2
申请日：2022-06-22
Applicant: 华北电力大学(保定)
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了一种用于预测高频正弦激励下的磁滞特性的动态磁滞模型，基于场分离和损耗分离的统一性，在考虑了集肤效应对涡流损耗影响下，导出了与涡流损耗有关的磁场强度表达式，从而实现了对硅钢片磁特性的准确模拟，本发明提出了一个与统计参数有关的磁导率，以此建立了涡流损耗和异常损耗之间的耦合关系然后，将形状因子引入到涡流损耗场中以实现在高频激励下磁滞回线的准确模拟，通过预测结果与实测结果的比较，验证了所提出的动态磁滞模型的准确性。
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