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公开(公告)号：CN115528176A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211188007.1
申请日：2022-09-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种制备微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜的方法及应用。本发明提供的处理方法：将卤化物钙钛矿薄膜表面涂覆碱金属卤素盐后静置长晶，得到微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜；所述微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛矿晶粒的尺寸≥0.5μm。本发明提供的方法能够促进卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛晶体二次生长，同时，碱金属离子能够有效抑制卤化物钙钛矿薄膜的相分离。由此，本发明提供的方法制备得到的微米级晶粒卤化物钙钛矿薄膜中卤化物钙钛矿晶粒的尺寸≥0.5μm，从而能够制备得到具有低缺陷密度、光电性能优异且稳定性好的卤化物钙钛矿薄膜。
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