公开(公告)号：CN106199543A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610475379.0

申请日：2016-06-24

Applicant: 华中科技大学 ,  上海无线电设备研究所

Inventor： 聂雪莹 ,  王可嘉 ,  黄欣 ,  项飞荻 ,  刘劲松 ,  王晓冰 ,  杨振刚 ,  武亚君

IPC: G01S7/41

CPC classification number: G01S7/412

Abstract: 本发明公开了一种雷达散射截面的测量装置。所述测量装置包括电学太赫兹源、第一太赫兹透镜、分束镜、目标支撑底座、第二太赫兹透镜、太赫兹探测器以及数据收集装置；所述电学太赫兹源、第一太赫兹透镜、分束镜以及目标支撑底座依次设置于第一方向上；所述分束镜、第二太赫兹透镜以及太赫兹探测器依次设置于第二方向上，所述太赫兹探测器的输出端连接所述数据收集装置的第一输入端。本发明利用一个分束镜即可实现目标体表面散射的太赫兹波的方向与太赫兹探测器接收方向的完全一致，简化了现有的测量装置的结构，减少了测量误差。

公开(公告)号：CN117169792B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311122825.6

申请日：2023-08-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 项飞荻 ,  刘文中 ,  董雨龙 ,  崔鑫超

IPC: G01R33/12 ,  A61B5/0515

Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法，属于磁纳米粒子成像领域，该方法包括：S1，对放置在目标区域的磁纳米粒子样品施加激励磁场使其磁化；S2，对磁化后的样品进行激光扫描；其中，所述激光的入射方向与所述激励磁场的方向平行；S3，根据各扫描点处出射激光、入射激光的电场分布与浓度、温度的关系式进行非线性拟合，得到各扫描点处的温度或浓度成像信息。该方法的成像分辨率取决于扫描的最小步长以及激光光斑尺寸，这两者都容易限制在100μm以下，因此相较于现有的MPI技术，本发明提供的方法能够提高成像分辨率。

公开(公告)号：CN117169792A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311122825.6

申请日：2023-08-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 项飞荻 ,  刘文中 ,  董雨龙 ,  崔鑫超

IPC: G01R33/12 ,  A61B5/0515

Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法，属于磁纳米粒子成像领域，该方法包括：S1，对放置在目标区域的磁纳米粒子样品施加激励磁场使其磁化；S2，对磁化后的样品进行激光扫描；其中，所述激光的入射方向与所述激励磁场的方向平行；S3，根据各扫描点处出射激光、入射激光的电场分布与浓度、温度的关系式进行非线性拟合，得到各扫描点处的温度或浓度成像信息。该方法的成像分辨率取决于扫描的最小步长以及激光光斑尺寸，这两者都容易限制在100μm以下，因此相较于现有的MPI技术，本发明提供的方法能够提高成像分辨率。