公开(公告)号：CN118541002A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410617474.4

申请日：2024-05-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周印华 ,  熊泽栋 ,  谢聪 ,  刘鑫璐

IPC: H10K71/60 ,  H10K30/50 ,  H10K30/82 ,  H01L33/42 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种渗透阈值降低的金属薄膜复合电极、制备方法及其应用，属于光电材料技术领域。本发明在透明基底层上旋涂氧化锌前体分散液后退火得到光学增透层；在光学增透层上采用物理气相沉积的方式沉积三氧化钼润湿层，于含有水蒸气的空气中暴露后物理气相沉积金属层，得到金属薄膜复合电极。本发明通过旋涂溶胶‑凝胶氧化锌，提高了金属薄膜电极的光学透过率且改善了复合电极的机械性能；通过将三氧化钼暴露在空气中接触水蒸气以改善三氧化钼薄膜的致密性，有效抑制金属薄膜在通常的蒸镀过程中存在的岛状生长现象，降低了金属薄膜在种子层上的渗透阈值，从而提高了金属薄膜的连续性和导电性，实现兼具高电导率以及低粗糙度的金属薄膜电极。