公开(公告)号：CN113488596B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110741110.3

申请日：2021-06-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗家俊 ,  唐江 ,  郭庆勋 ,  杨龙波 ,  王亮 ,  段家顺

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。

公开(公告)号：CN113488596A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110741110.3

申请日：2021-06-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗家俊 ,  唐江 ,  郭庆勋 ,  杨龙波 ,  王亮 ,  段家顺

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种Ce3+基卤化物电致发光器件，自上而下依次包括顶电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和底电极，其中，所述发光层采用的材料为Ce3+基卤化物材料，其结构通式为AmCenXk，其中A为Na，K，Rb，Cs中的一种或多种，X为Cl，Br，I中的一种或多种，Ce的化学价态为+3，m+3n＝k；该类Ce基卤化物材料具有高效光致发光效率、优良的热稳定性和较短的激发态寿命，可用于电致发光器件。所述空穴传输层和电子传输层分别用于将空穴和电子注入到发光层中。该电致发光器件具有制备工艺简单、成本更低、毒性低的特点。