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公开(公告)号：CN101394171B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810197388.3
申请日：2008-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明公开了一种静态零功耗上电复位电路，包括电压检测电路、脉冲锁存电路、缓冲输出电路以及清零复位电路。其中电压检测电路的一个输入端连接电源，另一个输入端连接输出缓冲电路的使能控制输出端，电压检测电路的输出端连接脉冲锁存电路的输入端。脉冲锁存电路的输出端连接输出缓冲电路的输入端，输出缓冲电路的输出端分别接连接电压检测电路的使能输入端和清零复位电路的输入端。清零复位电路的输入端接收外部清零复位信号，输出端输出上电复位信号。本发明结构简单新颖，无需外接RC元件，芯片占用面积小，静态功耗几乎为零，可以应用于低功耗的SoC芯片中。
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公开(公告)号：CN101394171A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810197388.3
申请日：2008-10-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明公开了一种静态零功耗上电复位电路，包括电压检测电路、脉冲锁存电路、缓冲输出电路以及清零复位电路。其中电压检测电路的一个输入端连接电源，另一个输入端连接输出缓冲电路的使能控制输出端，电压检测电路的输出端连接脉冲锁存电路的输入端。脉冲锁存电路的输出端连接输出缓冲电路的输入端，输出缓冲电路的输出端分别接连接电压检测电路的使能输入端和清零复位电路的输入端。清零复位电路的输入端接收外部清零复位信号，输出端输出上电复位信号。本发明结构简单新颖，无需外接RC元件，芯片占用面积小，静态功耗几乎为零，可以应用于低功耗的SoC芯片中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100504710C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710053294.4
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种高电源抑制的带隙基准源，包括自偏置电路、调整电路、带隙核心电路和启动电路。带隙核心电路中的IPTAT产生电路通过运放的负反馈调整其静态工作点，使NPN管Q1、Q2的集电极电流精确相等，产生的IPTAT电流与恒流源电路中具有负温度系数的NPN晶体管Q8的VBE进行温度一阶补偿来降低温度系数。恒流源电路自身可产生偏置，为IPTAT产生电路提供偏置电流。运放电路为两级运放以提高增益，补偿电路为两级运放进行频率补偿。调整电路通过负反馈作用来消除基准输出VREF对电源电压的依赖，以提高PSRR。启动电路可消除“简并”偏置点，并驱动自偏置电路工作。自偏置电路为调整电路提供偏置电压。本发明电路结构简单新颖，不需要外接偏置，电路所占面积小，具有良好的温度系数。
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公开(公告)号：CN101257289A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810047183.7
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种低功耗的双电容驰张型CMOS振荡器，包括双电容电路、RS触发器和比较电路。比较电路由比较器Comp3和D触发器构成，双电容电路的二个输出端分别接比较器的二个同相输入端，比较器的反相输入端接参考电压，比较器的输出端接D触发器的触发沿，D触发器的二个输出端分别接RS触发器的R、S端，RS触发器的二个输出端分别接双电容电路的二个输入端，D触发器的其中一个输出端作为总输出端。与现有的技术相比，比较器Comp3和比较器Comp1(或Comp2)所消耗的电流相当，但是因为D触发器中的所以管子都处于开关状态，并且不需要偏置电路，所以它比比较器Comp2(或Comp1)的静态功耗要小很多。本发明的电路结构简单，占用版图面积小、功耗低、效率高。
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公开(公告)号：CN101257289B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810047183.7
申请日：2008-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012
Abstract: 本发明公开了一种低功耗的双电容驰张型CMOS振荡器，包括双电容电路、RS触发器和比较电路。比较电路由比较器Comp3和D触发器构成，双电容电路的二个输出端分别接比较器的二个同相输入端，比较器的反相输入端接参考电压，比较器的输出端接D触发器的触发沿，D触发器的二个输出端分别接RS触发器的R、S端，RS触发器的二个输出端分别接双电容电路的二个输入端，D触发器的其中一个输出端作为总输出端。与现有的技术相比，比较器Comp3和比较器Comp1(或Comp2)所消耗的电流相当，但是因为D触发器中的所以管子都处于开关状态，并且不需要偏置电路，所以它比比较器Comp2(或Comp1)的静态功耗要小很多。本发明的电路结构简单，占用版图面积小、功耗低、效率高。
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公开(公告)号：CN101131592A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710053294.4
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种高电源抑制的带隙基准源，包括自偏置电路、调整电路、带隙核心电路和启动电路。带隙核心电路中的IPTAT产生电路通过运放的负反馈调整其静态工作点，使NPN管Q1、Q2的集电极电流精确相等，产生的IPTAT电流与恒流源电路中具有负温度系数的NPN晶体管Q8的VBE进行温度一阶补偿来降低温度系数。恒流源电路自身可产生偏置，为IPTAT产生电路提供偏置电流。运放电路为两级运放以提高增益，补偿电路为两级运放进行频率补偿。调整电路通过负反馈作用来消除基准输出VREF对电源电压的依赖，以提高PSRR。启动电路可消除“简并”偏置点，并驱动自偏置电路工作。自偏置电路为调整电路提供偏置电压。本发明电路结构简单新颖，不需要外接偏置，电路所占面积小，具有良好的温度系数。
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公开(公告)号：CN201097250Y
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200720087102.7
申请日：2007-09-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G05F3/24
Abstract: 一种高电源抑制的带隙基准源，包括自偏置电路、调整电路、带隙核心电路和启动电路。带隙核心电路中的IPTAT产生电路通过运放的负反馈调整其静态工作点，使NPN管Q1、Q2的集电极电流精确相等，产生的IPTAT电流与恒流源电路中具有负温度系数的NPN晶体管Q8的VBE进行温度一阶补偿来降低温度系数。恒流源电路自身可产生偏置，为IPTAT产生电路提供偏置电流。运放电路为两级运放以提高增益，补偿电路为两级运放进行频率补偿。调整电路通过负反馈作用来消除基准输出VREF对电源电压的依赖，以提高PSRR。启动电路可消除“简并”偏置点，并驱动自偏置电路工作。自偏置电路为调整电路提供偏置电压。本实用新型电路结构简单新颖，不需要外接偏置，电路所占面积小，具有良好的温度系数。
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