公开(公告)号：CN1218910A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98119591.1

申请日：1998-09-25

Applicant: 北陆电气工业株式会社

Inventor： 中沟佳幸 ,  小林英树 ,  端崎惠

IPC: G01P15/125

CPC classification number: G01P15/0915 ,  G01P15/0907 ,  G01P15/0922 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/084

Abstract: 在重锤固定区域5A内连接线LX1和压电陶瓷基片5之间形成低电容率层8。在中间区域5B的外侧,连接线LX2、LY1、LZ4和输出电极OX与此基片5之间形成低电容率层9。低电容率层8与9是由介电常数充分小于此基片的介电常数的低电容率物质形成的。由于设置了低电容率层8与9,可减小布线图形和输出电极与相对电极图形间产生的静电电容,从而能减少聚积于此静电电容上的自发极化电荷量。由此可以制得能抑制因加速度探测电极至输出电极间的静电电容导致输出降低的加速度传感器。