公开(公告)号：CN114825041B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202210376977.8

申请日：2022-04-11

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘凯 ,  董晓雯 ,  钟云凤 ,  黄永清 ,  段晓峰 ,  王琦 ,  任晓敏

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10

Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。

公开(公告)号：CN114825041A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210376977.8

申请日：2022-04-11

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 刘凯 ,  董晓雯 ,  钟云凤 ,  黄永清 ,  段晓峰 ,  王琦 ,  任晓敏

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/10

Abstract: 本申请提供一种单模垂直腔面发射激光器芯片及包含其的激光器，该芯片包括：依次设置的芯片衬底、缓冲层、芯片底镜结构、光学腔以及芯片顶镜结构；沿芯片衬底至芯片顶镜结构的方向，光学腔依次设有第一包层、有源区层、第二包层以及电流限制层；电流限制层的绝缘材料部分将电流限制层的半导体材料部分包围；芯片底镜结构设有第一反射镜层，芯片顶镜结构设有第四反射镜层；单模垂直腔面发射激光器芯片至少满足以下条件之一：在第一反射镜层与第一包层之间依次设有第一腔层以及第二反射镜层；以及在电流限制层与第四反射镜层之间依次设有第三反射镜层以及第二腔层。本申请提供的方案能够实现垂直腔面发射激光器稳定维持单模工作状态。