公开(公告)号：CN109004508B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810722562.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 叶寒 ,  王芋晶 ,  俞重远 ,  刘玉敏 ,  王叶 ,  张春雨

IPC: H01S5/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种基于量子点的单光子源，包括：衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4)；所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上；所述金属微纳结构(3)包括：两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球，所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1)，所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间，并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔；所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上，包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)。本发明实施例，通过增加增益介质层，以减少金属微纳结构的损耗，解决不易获得单光子的问题。

公开(公告)号：CN109004508A

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201810722562.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 叶寒 ,  王芋晶 ,  俞重远 ,  刘玉敏 ,  王叶 ,  张春雨

IPC: H01S5/34

Abstract: 本发明实施例提供了一种基于量子点的单光子源，包括：衬底(1)、量子点(2)、金属微纳结构(3)和增益介质层(4)；所述量子点(2)、所述金属微纳结构(3)分别设置于所述衬底(1)之上；所述金属微纳结构(3)包括：两个沿长轴对半剖开的相同的半椭球，所述半椭球面的平面贴合于所述衬底(1)，所述量子点(2)位于两个所述半椭球之间，并且分别与两个所述半椭球之间具有间隔；所述增益介质层(4)覆盖于所述衬底(2)之上，包裹所述量子点(2)和所述金属微纳结构(3)。本发明实施例，通过增加增益介质层，以减少金属微纳结构的损耗，解决不易获得单光子的问题。