公开(公告)号：CN115292877A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210716209.2

申请日：2022-06-22

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王琦 ,  梁昊 ,  袁学光 ,  刘昊 ,  徐际宇 ,  张阳安 ,  刘凯 ,  黄永清 ,  任晓敏

IPC: G06F30/20 ,  G06F30/23

Abstract: 本发明提出了一种基于拓扑优化的光子器件自适应逆向设计方法，在设计过程中，采用兼具差异化处理特性和动态调整特性的自适应投影函数。本发明在提升了光子器件设计效率的基础上，保证逆向设计得到的光子器件具有优秀的性能指标，此外设计得到的光子器件已完全二值化，省掉了额外的离散优化，不仅解决了离散优化导致光子器件品质因数劣化问题，而且还简化了设计流程。进一步地，本发明逆向设计得到的光子器件物理尺寸小、易于规模化集成、可利用常规半导体光刻工艺进行制备，有望推动光子集成芯片尤其是硅基光子集成芯片的发展。