Patent search ap:("北京邮电大学") AND inv:"林凤斌" Page 1

1.

发明公开
一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面审中-实审

公开(公告)号：CN116224677A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310238034.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 桂丽丽 , 谢海伦 , 刘怡雯 , 林凤斌 , 徐坤

IPC: G02F1/35 , G02B1/00

Abstract: 本发明提供一种基于Fano共振的硅超构表面单元及超构表面，所述基于Fano共振的硅超构表面单元包括单元基体和两个基体凸肋；所述基体凸肋设置于所述单元基体的侧面，所述基体凸肋由所述单元基体上表面延伸至下表面，两个所述基体凸肋之间设置有第一基体缺陷，两个所述基体凸肋两侧均设置有第二基体缺陷。所述基于Fano共振的硅超构表面包括阵列设置的多个所述基于Fano共振的硅超构表面单元。本方案的每个基于Fano共振的硅超构表面单元均设置有三个基体缺陷，通过构造缺陷，打破硅立方体结构的对称性，诱导亮暗模间的弱耦合，产生尖锐的Fano共振，实现大的局域近场增强，进而极大增强双光子吸收响应。

Patent Agency Ranking