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公开(公告)号:CN105185862B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510319023.3
申请日:2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法,涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅;外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片;采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅;最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域,具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点;同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号:CN105185862A
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201510319023.3
申请日:2015-06-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/02327 , H01L31/035281 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开了一种具有汇聚增强功能的蘑菇型高速光探测器及其制备方法,涉及光电子技术领域。所述蘑菇型高速光探测器包括由下至上依次形成的硅衬底层、氧化硅衬底层、非周期亚波长光栅层、树脂层、n型外延层、本征层、p型外延层,以及n型接触电极和p型接触电极。所述制备方法包括刻蚀形成非周期亚波长光栅;外延生长Ⅲ-Ⅴ族PIN光探测器外延片;采用键合工艺混合集成光探测器外延片和非周期亚波长光栅;最后通过选择性刻蚀工艺实现蘑菇型台面结构。本发明能够广泛用于光通信及光信号处理等领域,具有易于集成、高量子效率、高频率响应带宽等特点;同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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