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公开(公告)号：CN103979549B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410244837.0
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构Cu1.8S@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~2μm的Cu1.8S前驱粉体，通过溶胶凝胶法在Cu1.8S粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、Cu1.8S为核的核壳结构Cu1.8S@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料。Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料较单相Cu1.8S热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子及低的热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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公开(公告)号：CN108508530A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810223862.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: G02B6/0281 , G02B6/03605
Abstract: 本发明提供一种耦合四芯光纤，涉及光通信技术领域，该耦合四芯光纤包括四个结构参数相同的具有沟道辅助的渐变折射率纤芯，且四个沟道辅助纤芯的横切面两两相切，所述结构参数包括纤芯半径、沟道宽度、纤芯折射率、沟道折射率以及包层折射率。在四芯耦合的基础上实现了C+L波段上较低的差分模式群时延传输。
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公开(公告)号：CN103985813A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410244778.7
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构NiSe2@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~1μm的NiSe2前驱粉体，通过溶胶凝胶法在NiSe2粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、NiSe2为核的核壳结构NiSe2@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的NiSe2@SiO2复合块体热电材料。NiSe2@SiO2复合块体热电材料较单相NiSe2热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子，同时降低了热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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公开(公告)号：CN103985813B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410244778.7
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构NiSe2@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~1μm的NiSe2前驱粉体，通过溶胶凝胶法在NiSe2粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、NiSe2为核的核壳结构NiSe2@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的NiSe2@SiO2复合块体热电材料。NiSe2@SiO2复合块体热电材料较单相NiSe2热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子，同时降低了热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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公开(公告)号：CN103979549A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410244837.0
申请日：2014-06-04
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种核壳结构Cu1.8S@SiO2热电材料及制备方法。本发明通过机械合金化法制备了颗粒尺寸为0.1~2μm的Cu1.8S前驱粉体，通过溶胶凝胶法在Cu1.8S粉体表面包覆厚度在5~500nm范围内可控的无定形SiO2，制备出以SiO2为壳、Cu1.8S为核的核壳结构Cu1.8S@SiO2复合粉体。所得复合粉体经放电等离子烧结后，核壳结构保存于块体中，制备出核壳结构的Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料。Cu1.8S@SiO2复合块体热电材料较单相Cu1.8S热电材料具备更高的塞贝克系数、功率因子及低的热导率。本发明工艺具有节能、省时、产量高等特点。
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