基于负泊松比材料的自我生长的人工根系4D增材制造方法

    公开(公告)号:CN119820860A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510312546.9

    申请日:2025-03-17

    Abstract: 本发明提供一种基于负泊松比材料的自我生长的人工根系4D增材制造方法,涉及超材料生物结构构建和制造技术领域。所述人工根系是由重复单胞结构构建而成,所述方法包括以下步骤:(1)参数化设计芯体单胞结构,由此构建三维负泊松比芯体结构;(2)参数化设计表皮单胞结构,由此构建三维负泊松比管状结构;(3)将所述芯体结构和所述管状结构组合成整体结构,3D打印所述整体结构形成单个根;(4)通过调整设计参数,打印多个根系并组装为复杂三维根系,模拟单根和复杂根系的生长。本发明能制造具有良好且全面的真实根系性能的结构,能充分模拟根系的力学、吸水和持水、以及摩擦特性,在植物根系和生态修复研究领域具有广阔的应用前景。

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