公开(公告)号：CN100513299C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710121384.2

申请日：2007-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 丁海涛 ,  杨振川 ,  郭中洋 ,  迟晓珠 ,  赵前程 ,  郝一龙 ,  闫桂珍

IPC: B81C3/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明涉及一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法，它包括如下步骤：对盖帽玻璃片进行打孔，但不打通；在盖帽玻璃片未打引线孔的一侧溅射钨(或铬)和金，并进行光刻和腐蚀，形成掩膜；用氢氟酸腐蚀玻璃腔体，同时将未穿通的引线孔腐蚀通；在玻璃腔体内溅射吸气剂；将MEMS器件结构圆片与盖帽玻璃片在高温、低压力下静电键合；在盖帽玻璃片上制作金属电极；在金属电极上制作金属凸点；将切片后的单个MEMS器件芯片与处理电路进行倒装焊封装。本发明方法封装可用于批量生产，保护MEMS器件芯片免受外界的污染和破坏，提高成品率。本发明可广泛应用于MEMS系统中。

公开(公告)号：CN101108722A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710121384.2

申请日：2007-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 丁海涛 ,  杨振川 ,  郭中洋 ,  迟晓珠 ,  赵前程 ,  郝一龙 ,  闫桂珍

IPC: B81C3/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明涉及一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法，它包括如下步骤：对盖帽玻璃片进行打孔，但不打通；在盖帽玻璃片未打引线孔的一侧溅射钨(或铬)和金，并进行光刻和腐蚀，形成掩膜；用氢氟酸腐蚀玻璃腔体，同时将未穿通的引线孔腐蚀通；在玻璃腔体内溅射吸气剂；将MEMS器件结构圆片与盖帽玻璃片在高温、低压力下静电键合；在盖帽玻璃片上制作金属电极；在金属电极上制作金属凸点；将切片后的单个MEMS器件芯片与处理电路进行倒装焊封装。本发明方法封装可用于批量生产，保护MEMS器件芯片免受外界的污染和破坏，提高成品率。本发明可广泛应用于MEMS系统中。