公开(公告)号：CN101060166A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200610075837.8

申请日：2006-04-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 冉广照 ,  赵伟强 ,  秦国刚 ,  徐万劲

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  H01L33/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01L21/28 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种透光电极及其制备方法。本发明所提供的透光电极，包括透明衬底和位于透明衬底上的多晶硅层。本发明用多晶硅薄膜作为透光电极可以兼顾透光率、稳定性和低成本等基本要素。原料可以是非晶硅，单晶硅尾料，也是硅的其他化合物；制备工艺可以用成本很低的磁控溅射或电子束蒸发等，真空在10－5托以上即可。与采用薄金属透光电极相比，透光率高且稳定。与ITO薄膜相比，材料和工艺成本均较低。本发明的透光电极在无机薄膜，有机薄膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面也有广泛用途。