公开(公告)号：CN117976722A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410178337.5

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 康晋锋 ,  宋旭锦 ,  孙迪江 ,  虞晨曦 ,  李尚泽 ,  周正 ,  刘晓彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H10B51/30

Abstract: 本申请公开了铁电场效应晶体管及其制备方法、存储器件。铁电场效应晶体管包括：栅极层，铁电层，铁电层位于栅极层的一侧，铁电层包括氧化铪，以及掺杂在氧化铪中的第一掺杂元素，第一掺杂元素包括镧元素；半导体层，半导体层位于铁电层远离栅极层的一侧，半导体层具有沟道区以及位于沟道区两侧的相对的第一端和第二端，半导体层包括氧化钛，以及掺杂在氧化钛中的第二掺杂元素，第二掺杂元素包括氮元素；源极，源极与半导体层的第一端接触；漏极，漏极与半导体层的第二端接触。由此，可以有效提高铁电场效应晶体管的稳定性和驱动电流，便于实现铁电场效应晶体管的三维堆叠集成。