公开(公告)号：CN1058275A

公开(公告)日：1992-01-29

申请号：CN90104535.7

申请日：1990-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭长华 ,  许铭真 ,  王阳元 ,  张晖 ,  刘晓卫 ,  王永顺

IPC: G01R29/24 ,  G01R31/00 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。

公开(公告)号：CN1018953B

公开(公告)日：1992-11-04

申请号：CN90104535.7

申请日：1990-07-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 谭长华 ,  许铭真 ,  王阳元 ,  张晖 ,  刘晓卫 ,  王永顺

IPC: G01R29/24 ,  G01R31/26 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。