公开(公告)号：CN116403624B

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310672151.0

申请日：2023-06-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  叶兴国 ,  潘振存 ,  李栋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种轨道转移力矩磁性随机存储器件及其实现方法。本发明采用场效应晶体管作为选择器，通过字线对栅极施加开关电压，被选中的存储单元导通；通过第一写入线对二维层状贝利曲率层施加写入电流，轨道转移力矩驱动自由铁磁层的垂直磁化翻转，实现全电控的信息写入，并具有非易失性；通过读取线对异质结施加读取电流，直流电压表读取隧穿电阻，实现全电控的信息读取；通过写入电流改变自由铁磁层的垂直磁化方向，分别将隧穿电阻的低和高电阻态作为“0”和“1”进行二元信息存储，实现全电控的信息写入和读取；本发明实现无需外磁场辅助的垂直磁化翻转，为磁性随机存储器走向实际应用提供了理想的技术路线，有望实现大规模商业化应用。

公开(公告)号：CN116403624A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310672151.0

申请日：2023-06-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  叶兴国 ,  潘振存 ,  李栋

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种轨道转移力矩磁性随机存储器件及其实现方法。本发明采用场效应晶体管作为选择器，通过字线对栅极施加开关电压，被选中的存储单元导通；通过第一写入线对二维层状贝利曲率层施加写入电流，轨道转移力矩驱动自由铁磁层的垂直磁化翻转，实现全电控的信息写入，并具有非易失性；通过读取线对异质结施加读取电流，直流电压表读取隧穿电阻，实现全电控的信息读取；通过写入电流改变自由铁磁层的垂直磁化方向，分别将隧穿电阻的低和高电阻态作为“0”和“1”进行二元信息存储，实现全电控的信息写入和读取；本发明实现无需外磁场辅助的垂直磁化翻转，为磁性随机存储器走向实际应用提供了理想的技术路线，有望实现大规模商业化应用。