公开(公告)号：CN113093264A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110379286.9

申请日：2021-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 林晨 ,  吴旻剑 ,  袁忠喜 ,  肖池阶 ,  杨肖易 ,  颜学庆

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明公开了一种离子束探测器。该探测器包括闪烁体、屏蔽成像装置、信号传输装置和图像探测装置；屏蔽成像装置设置于托卡马克装置的外接管内；闪烁体设置于屏蔽成像装置的输入端；外接管与屏蔽成像装置的输出端对应的位置外接法兰；法兰上设置有玻璃开窗；玻璃开窗与信号传输装置的输入端匹配；图像探测装置设置在信号传输装置的输出端处；闪烁体受到托卡马克装置内含能光子或含能粒子轰击时发出可见光；屏蔽成像装置用于在玻璃开窗处生成发光的闪烁体的像；信号传输装置用于接收并传输像的光学信号；图像探测装置用于捕获并记录光学信号的时空特性。采用本发明的离子束探测器，能够适应装置内恶劣的环境，具有生存能力强和测量能力高的优点。

公开(公告)号：CN111337863A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN202010175193.X

申请日：2020-03-13

Applicant: 北京大学 ,  新奥科技发展有限公司

Inventor： 徐田超 ,  杨肖易 ,  肖池阶 ,  邓必河 ,  黄贤礼 ,  李松健

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明提供一种场反位形(FRC)等离子体中的磁场测量方法，该方法采用激光离子束轨迹探针(LITP)来测量FRC等离子体中的磁场，激光离子加速器产生的离子束经准直器入射至场反位形装置；测量不同能量的离子在所述场反位形等离子体中的磁场中的环向偏转角(Φt-2α0)、轴向位移Z以及飞行时间T；确定所述环向偏转角(Φt-2α0)、所述轴向位移Z以及所述飞行时间T与所述场反位形等离子体中的磁场的极向磁场剖面的定量关系，非线性重构所述极向磁场剖面。本发明的方法(LITP)能够针对具体给定的FRC位形，给出LITP诊断磁场的误差水平、LITP样机的关键参数及系统框架等。

公开(公告)号：CN108461373B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201710093637.3

申请日：2017-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐万劲 ,  秦国刚 ,  肖池阶 ,  侯瑞祥 ,  杨肖易 ,  李艳平

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公布了一种等离子体激活掺杂装置，在0‑300℃的非高温下实现对半导体材料或器件进行掺杂。所述等离子体激活掺杂装置包括真空腔室和等离子体发生单元，等离子体耦合窗口设置在底面，其上为杂质源台，被掺半导体台设置在腔室顶部，被掺半导体台和杂质源台的台面均为与被掺半导体片同种材料的掩盖用半导体片；靠近真空腔室内壁设置金属内衬，该金属内衬与腔壁绝缘，并施加≤200V的正偏压；被掺半导体台的温度控制在0～300℃范围内。该装置能在非高温下对半导体材料或器件进行掺杂，不涉及高温处理、高能粒子轰击，损伤少，工艺简单，时间短，效率高，而且可消除或大幅度减少沾污，实现多种杂质一次掺杂完成。

公开(公告)号：CN113093264B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202110379286.9

申请日：2021-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 林晨 ,  吴旻剑 ,  袁忠喜 ,  肖池阶 ,  杨肖易 ,  颜学庆

IPC: G01T1/29

Abstract: 本发明公开了一种离子束探测器。该探测器包括闪烁体、屏蔽成像装置、信号传输装置和图像探测装置；屏蔽成像装置设置于托卡马克装置的外接管内；闪烁体设置于屏蔽成像装置的输入端；外接管与屏蔽成像装置的输出端对应的位置外接法兰；法兰上设置有玻璃开窗；玻璃开窗与信号传输装置的输入端匹配；图像探测装置设置在信号传输装置的输出端处；闪烁体受到托卡马克装置内含能光子或含能粒子轰击时发出可见光；屏蔽成像装置用于在玻璃开窗处生成发光的闪烁体的像；信号传输装置用于接收并传输像的光学信号；图像探测装置用于捕获并记录光学信号的时空特性。采用本发明的离子束探测器，能够适应装置内恶劣的环境，具有生存能力强和测量能力高的优点。

公开(公告)号：CN113015310A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110207537.5

申请日：2021-02-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 余修铭 ,  杨肖易 ,  肖池阶 ,  许敏 ,  余羿 ,  何任川 ,  徐田超 ,  盖跃 ,  朱昆

IPC: H05H1/32 ,  H05H1/34

Abstract: 本发明提供一种等离子体密封装置及密封方法，等离子体密封装置包括级联电弧放电装置以及与其连接的真空系统，级联电弧放电装置的放电通道的横截面为类矩形狭缝，放电通道由铜板构成，相邻铜板之间绝缘间隔，放电通道的两端分别为阴极和阳极，阴极包括多个放电针，放电针的尖端与放电通道的中心位置对准。该装置利用级联电弧放电产生的等离子体实现横截面积较大的矩形狭缝两端高低真空间的隔离。在直流电源的支持下，本发明可实现几厘米长的级联电弧放电，本发明的放电通道的深度为60mm，横截面的长度为35mm，宽度为3mm。本发明的等离子体密封装置及密封方法能够维持等离子体窗两侧高低气压端10倍以上的压降。

公开(公告)号：CN111337863B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202010175193.X

申请日：2020-03-13

Applicant: 北京大学 ,  新奥科技发展有限公司

Inventor： 徐田超 ,  杨肖易 ,  肖池阶 ,  邓必河 ,  黄贤礼 ,  李松健

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明提供一种场反位形(FRC)等离子体中的磁场测量方法，该方法采用激光离子束轨迹探针(LITP)来测量FRC等离子体中的磁场，激光离子加速器产生的离子束经准直器入射至场反位形装置；测量不同能量的离子在所述场反位形等离子体中的磁场中的环向偏转角(Φt‑2α0)、轴向位移Z以及飞行时间T；确定所述环向偏转角(Φt‑2α0)、所述轴向位移Z以及所述飞行时间T与所述场反位形等离子体中的磁场的极向磁场剖面的定量关系，非线性重构所述极向磁场剖面。本发明的方法(LITP)能够针对具体给定的FRC位形，给出LITP诊断磁场的误差水平、LITP样机的关键参数及系统框架等。

公开(公告)号：CN108461373A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201710093637.3

申请日：2017-02-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐万劲 ,  秦国刚 ,  肖池阶 ,  侯瑞祥 ,  杨肖易 ,  李艳平

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明公布了一种等离子体激活掺杂装置，在0-300℃的非高温下实现对半导体材料或器件进行掺杂。所述等离子体激活掺杂装置包括真空腔室和等离子体发生单元，等离子体耦合窗口设置在底面，其上为杂质源台，被掺半导体台设置在腔室顶部，被掺半导体台和杂质源台的台面均为与被掺半导体片同种材料的掩盖用半导体片；靠近真空腔室内壁设置金属内衬，该金属内衬与腔壁绝缘，并施加≤200V的正偏压；被掺半导体台的温度控制在0～300℃范围内。该装置能在非高温下对半导体材料或器件进行掺杂，不涉及高温处理、高能粒子轰击，损伤少，工艺简单，时间短，效率高，而且可消除或大幅度减少沾污，实现多种杂质一次掺杂完成。

公开(公告)号：CN220232739U

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202321485484.4

申请日：2023-06-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 余修铭 ,  肖池阶 ,  杨肖易 ,  徐田超 ,  何任川 ,  张祖煜 ,  盖跃 ,  许敏 ,  余羿

IPC: G21B1/13 ,  G21B1/05

Abstract: 本实用新型公开了一种用于缓解磁约束聚变装置中偏滤器热负荷的等离子体窗结构，所述磁约束聚变装置包括主真空室和偏滤器室，所述偏滤器室设有偏滤器靶板，偏滤器室喉部宽度收窄，且在偏滤器室喉部收窄的位置和主真空室之间构造有狭长区域形成等离子体窗，所述偏滤器室设有充气孔用于向偏滤器靶板所在区域充入中性气体形成等离子体窗的高气压端。该结构可以在保持主真空室所需的中性气压的同时，增加偏滤器靶板附近的中性气压，形成一个高压气体靶，阻挡来自上游的粒子流和热流，有效缓解靶板的高热负荷。