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公开(公告)号：CN101820251A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010173289.9
申请日：2010-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供了一种超低功耗低噪声放大器的电路设计，属于射频集成电路领域。本发明采用电流复用的方法，使用上下级联的两层共源放大结构，在两层共源放大结构的连接点使用大电容，输入端使用高Q值的片外电感，在一级单元电路中使用PMOS负载取代传统的放大器负载电感。使用本发明的放大器电路结构比传统结构的低噪声放大器功耗更低，在性能方面更为优越，其噪声约为2dB，增益在30dB左右。
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