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公开(公告)号：CN116239088B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111485440.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/072 , C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/40
Abstract: 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3降低到1x1017cm‑3。本发明可以降低氮化铝单晶晶体中的含氧量，有利于实现高质量氮化铝单晶的制备。
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公开(公告)号：CN113489313B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202110690049.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种增大电压调节范围的电路，包括第一电源的正极与第一光电耦合器的一端相连，第一光电耦合器的另一端与第一电阻的第一端相连，第一电阻的第二端与第三电阻的第一端相连，第三电阻的第二端与第一电源的负极相连；第二电源的正极与第二光电耦合器的一端相连，第二光电耦合器的另一端与第三电阻的第二端相连，第三电阻的第一端与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二电源的负极相连；负载电阻一端与第一电阻的第一端相连，另一端与第二电阻的第二端相连，第一电阻的第一端为输出电压的输出端，输出电压的采样端位于所述负载电阻的两端之间。本发明的增大电压调节范围的电路能够增大输出电压上限，且调节速度快和纹波水平低。
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公开(公告)号：CN115963525A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211473970.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 北京大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明提供一种能量中性原子源区识别方法及系统、存储介质及终端，包括获取地心太阳黄道坐标系下深空航天器的星历；获取所述深空航天器中能量中性原子成像单元的视场范围；获取以所述深空航天器为中心的J2000平黄道天球参考系下太阳和木星的星历；获取地心太阳黄道坐标系下磁层顶的位置；获取以所述深空航天器为中心的J2000平黄道天球参考系下所述磁层顶的覆盖范围；根据所述能量中性原子成像单元的视场范围、所述磁层顶的覆盖范围、所述太阳和木星的星历确定所述能量中性原子的源区。本发明的能量中性原子源区识别方法及系统、存储介质及终端能够区分来自背景星际源、前景地球磁层以及其他源区的能量中性原子，快速精准，实用性强。
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公开(公告)号：CN113957521B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202010701300.8
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用易扩大拼接籽晶技术制备AlN单晶的方法及装置，包括：坩埚、AlN源粉、蓝膜、AlN专用高温粘接胶、研磨抛光设备、线切割机、耐高温夹具、单晶定向仪和PVT生长设备，首先采用自发形核的方法获得高质量AlN小单晶，再通过将AlN小单晶的正反面进行研磨抛光；得到正面光亮且无肉眼可见划痕的AlN籽晶小单元；获得侧面为a面或m面的六棱柱或长方体籽晶单元；将多个籽晶单元无缝拼接并粘接到坩埚盖上，获得大尺寸拼接籽晶；采用多段式生长的方法，得到大尺寸高质量AlN晶体。本发明在扩大AlN单晶的尺寸同时提高AlN晶体的质量，方法简单，成本低。
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公开(公告)号：CN113957521A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010701300.8
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种利用易扩大拼接籽晶技术制备AlN单晶的方法及装置，包括：坩埚、AlN源粉、蓝膜、AlN专用高温粘接胶、研磨抛光设备、线切割机、耐高温夹具、单晶定向仪和PVT生长设备，首先采用自发形核的方法获得高质量AlN小单晶，再通过将AlN小单晶的正反面进行研磨抛光；得到正面光亮且无肉眼可见划痕的AlN籽晶小单元；获得侧面为a面或m面的六棱柱或长方体籽晶单元；将多个籽晶单元无缝拼接并粘接到坩埚盖上，获得大尺寸拼接籽晶；采用多段式生长的方法，得到大尺寸高质量AlN晶体。本发明在扩大AlN单晶的尺寸同时提高AlN晶体的质量，方法简单，成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116239088A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202111485440.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/072 , C30B35/00 , C30B23/00 , C30B29/40
Abstract: 本发明公布了一种用于降低氮化铝晶体中氧杂质含量的源粉预烧结方法，属于半导体制造领域。本发明首先对氮化铝源粉进行三段式除氧杂质，再通过增加源粉的颗粒大小，减小源粉的比表面积，达到降低源粉二次吸附氧元素的能力。采用本发明获得的源粉用于后继PVT法生长氮化铝单晶，SIMS测量发现，后续生长的AlN晶片氧杂质含量从6x1017cm‑3降低到1x1017cm‑3。本发明可以降低氮化铝单晶晶体中的含氧量，有利于实现高质量氮化铝单晶的制备。
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公开(公告)号：CN113957541B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010701354.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法，包括籽晶，坩埚，氮化铝晶体生长炉，机械抛光及化学清洗设备和专用加热加压装置；对坩埚盖表面和籽晶背面进行预处理，籽晶放置在坩埚盖上；将坩埚盖在下放置到加热加压装置的样品台上；在籽晶正面预先放置表面没抛光过的牺牲晶片，对坩埚盖和籽晶进行加压操作；升温并保温；再缓慢降温并向加热室充入氮气到常压，将牺牲晶片上的压力传动装置缓慢卸载；将粘接好的籽晶和坩埚盖在氮化铝晶体生长炉中进行高温定型；由此得到粘接好的氮化铝籽晶。本发明可改善氮化铝单晶生长质量，且工序简单，有利于实现低成本的氮化铝单晶的制备。
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公开(公告)号：CN113489313A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110690049.4
申请日：2021-06-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种增大电压调节范围的电路，包括第一电源的正极与第一光电耦合器的一端相连，第一光电耦合器的另一端与第一电阻的第一端相连，第一电阻的第二端与第三电阻的第一端相连，第三电阻的第二端与第一电源的负极相连；第二电源的正极与第二光电耦合器的一端相连，第二光电耦合器的另一端与第三电阻的第二端相连，第三电阻的第一端与第二电阻的第一端相连，第二电阻的第二端与第二电源的负极相连；负载电阻一端与第一电阻的第一端相连，另一端与第二电阻的第二端相连，第一电阻的第一端为输出电压的输出端，输出电压的采样端位于所述负载电阻的两端之间。本发明的增大电压调节范围的电路能够增大输出电压上限，且调节速度快和纹波水平低。
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公开(公告)号：CN111472045A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010364688.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种基于大尺寸籽晶的氮化铝单晶制备方法，采用磁控溅射法沉积氮化铝大尺寸籽晶层，在溅射AlN籽晶层上生长一定厚度的AlN晶体后，调整温场回到正常长时间生长时的状态继续生长AlN，得到大尺寸AlN单晶。本发明中的籽晶表面致密平整，没有原生裂纹，对后续生长获得无裂纹晶体有利；籽晶尺寸可以在面内尺寸上达到2英寸以上，且可根据需要定制不同尺寸，满足2英寸及以上的AlN体单晶的生长；溅射AlN有效降低了成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN113957541A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202010701354.4
申请日：2020-07-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于氮化铝晶体生长的籽晶高温粘接设备及方法，包括籽晶，坩埚，氮化铝晶体生长炉，机械抛光及化学清洗设备和专用加热加压装置；对坩埚盖表面和籽晶背面进行预处理，籽晶放置在坩埚盖上；将坩埚盖在下放置到加热加压装置的样品台上；在籽晶正面预先放置表面没抛光过的牺牲晶片，对坩埚盖和籽晶进行加压操作；升温并保温；再缓慢降温并向加热室充入氮气到常压，将牺牲晶片上的压力传动装置缓慢卸载；将粘接好的籽晶和坩埚盖在氮化铝晶体生长炉中进行高温定型；由此得到粘接好的氮化铝籽晶。本发明可改善氮化铝单晶生长质量，且工序简单，有利于实现低成本的氮化铝单晶的制备。
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