MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法

    公开(公告)号:CN104576914A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201510037533.1

    申请日:2015-01-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法,无需高真空条件,在2~7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层,避免了生长过程中的杂质污染;利用CVD法生长的BN层性能优良,导热性好,适合作为势垒层,提高了势垒层的致密性,增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。

    一种石墨烯胶膜及其制备方法和石墨烯的转移方法

    公开(公告)号:CN103011146A

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN201210575850.5

    申请日:2012-12-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯胶膜及其制备方法和石墨烯的转移方法。本发明采用在基底上生长好的石墨烯薄膜上旋涂聚乙烯醇缩醛胶,制备得到大面积、低缺陷的自支撑的透明石墨烯胶膜,可以进行大面积、定向的转移,操作简单,要求条件宽松,经过拉曼光谱、电学、磁学测量等方法可以证明该方法可以高质量的石墨烯,并可以转移得到大面积低缺陷的石墨烯薄膜,得到标准的石墨烯特征曲线。本发明的方法制备得到的石墨烯胶膜存储和转移都方便快捷,也可以快速测量石墨烯的性能,步骤简单快捷,转移成本低,不仅适用于手动裁剪,也适用于大规模机器自动剪成,同时仍可保证石墨烯薄膜的高质量,可以极大促进石墨烯材料的应用和推广。

    MgB<base:Sub>2</base:Sub>/BN/MgB<base:Sub>2</base:Sub>约瑟夫森结及其制备方法

    公开(公告)号:CN104576914B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201510037533.1

    申请日:2015-01-26

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法,无需高真空条件,在2~7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层,避免了生长过程中的杂质污染;利用CVD法生长的BN层性能优良,导热性好,适合作为势垒层,提高了势垒层的致密性,增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。

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