-
公开(公告)号：CN104111235A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410331238.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种测量二维薄膜材料复折射率谱的方法，包括：测量所述样品的反射光谱，包括覆盖有二维材料区域的反射光谱和没有覆盖二维材料区域的反射光谱，利用二位薄膜材料在衬底上的衬度公式，得到二维薄膜材料的衬度谱；改变透明介质厚度，得到不同透明介质厚度下的衬度谱；在固定照明波长下通过多层薄膜反射光强的理论公式拟合衬度与透明介质厚度的关系获得二维薄膜材料的复折射率参数；改变照明波长，最终获得二维薄膜材料的复折射率谱。该方法具有空间分辨率高、测量范围宽、重复性好、成本低等优点。避免了传统椭偏仪和filmetrics测量方法不适用于新型小尺度二维材料的缺点，在以二维薄膜材料为功能单元的新型器件设计与制备方面有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN1058275A
公开(公告)日：1992-01-29
申请号：CN90104535.7
申请日：1990-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN1018953B
公开(公告)日：1992-11-04
申请号：CN90104535.7
申请日：1990-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及MOS系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统(TCRS)采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的分离检测问题。这种谱峰分析技术在测量精度和灵敏度方面比现有检测方法和设备高，而且具有直观、方便的特点，对VLSI电路和器件的可靠性和使用寿命的研究具有重要的意义。
-
公开(公告)号：CN104111235B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410331238.2
申请日：2014-07-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种测量二维薄膜材料复折射率谱的方法，包括：测量所述样品的反射光谱，包括覆盖有二维材料区域的反射光谱和没有覆盖二维材料区域的反射光谱，利用二位薄膜材料在衬底上的衬度公式，得到二维薄膜材料的衬度谱；改变透明介质厚度，得到不同透明介质厚度下的衬度谱；在固定照明波长下通过多层薄膜反射光强的理论公式拟合衬度与透明介质厚度的关系获得二维薄膜材料的复折射率参数；改变照明波长，最终获得二维薄膜材料的复折射率谱。该方法具有空间分辨率高、测量范围宽、重复性好、成本低等优点。避免了传统椭偏仪和filmetrics测量方法不适用于新型小尺度二维材料的缺点，在以二维薄膜材料为功能单元的新型器件设计与制备方面有广泛的应用前景。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.248 seconds)
