激光选区熔化成形GH3230的热处理方法

    公开(公告)号:CN118080884A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202211461599.X

    申请日:2022-11-17

    Abstract: 本发明提供一种激光选区熔化成形GH3230的热处理方法,该热处理方法由以下步骤组成:步骤1、将激光选区熔化成形的GH3230金相试样进行热等静压处理,热等静压处理温度为1170‑1240℃,压力为150‑190MPa,保温时间为1.5‑4h,保温结束后随炉冷却;步骤2、将热等静压处理后的GH3230金相试样进行固溶处理,固溶处理温度为1170‑1240℃,保温时间为0.8‑2h,保温结束后快速冷却。该技术方案适合于GH3230合金的热处理,能够消除裂纹,降低材料的各向异性。

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